二三極管自鎖電路原理與應(yīng)用
做為一家專注于電子范疇的創(chuàng)新型企業(yè)，聯(lián)冀電子常常面臨各種電子設(shè)計的應(yīng)戰(zhàn)。在這些應(yīng)戰(zhàn)中，二三極管自鎖電路的原理及其應(yīng)用至關(guān)重要。這不只是由于他在很多項目中起到主要的作用，也是由于它反映了電子技術(shù)的原理和創(chuàng)新潛力。在本文中，聯(lián)冀電子將分享電路工作原理、實踐應(yīng)用案例和團隊一些個人意見。二三極管自鎖電路的原理根據(jù)聯(lián)冀電子的經(jīng)歷，控制二三極管自鎖電路的關(guān)鍵是共同的“記憶”作用。當(dāng)電路承受到最初電流脈沖時，即……
強茂二極管肖特基二極管的特性
強茂二極管肖特基二極管是利用金屬-半導(dǎo)體接面作為肖特基勢壘，以產(chǎn)生整流的效果，和一般二極管中由半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接面產(chǎn)生的P-N接面不同。肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。你知道肖特基二極管作用是什么嗎？下面就是聯(lián)冀小編對肖特基二極管進行簡單的介紹。肖特基二極管-原理 肖特基二極管是由貴金屬金、鋁、銀、鉑等A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負極，然后利用二者接觸面之……
低壓MOS管如何設(shè)計才能起到保護作用
低壓MOS管作為一種新型的功率器件，具有開關(guān)速度快，內(nèi)阻低損耗小等優(yōu)點，但是如果使用不當(dāng)也容易損 壞。低壓MOS管損壞的原因主要有過壓，過流，短路，靜電，過熱，機械損壞等。 一．過壓 低壓MOS管的過壓主要分為柵源及過壓和漏源及過壓。 1. 柵源及及過壓 低壓MOS管 的柵源及之間允許的電壓（VGSS）都有一個限制，業(yè)界的一般是±12V(低壓 MOS)~±20V(中 壓大電流 MOS/高壓 MOS……
深愛半導(dǎo)體元器件的特點及電子元器件的解析
深愛半導(dǎo)體元器件的特點：1. 二極管只有一個PN結(jié),2.三極管有兩個PN結(jié),相當(dāng)于兩個二極管背對背合成一個.就是(PNP/NPN)基極,發(fā)射極,集電極) 3.場效應(yīng)管相當(dāng)于一個開關(guān),與三極管工作原理有點相同,看一下三極管3大放大電路基本差不多(N溝道與P溝道)三個腳就是源極,漏及,柵極(相當(dāng)于三極管的,集電極,發(fā)射極,基極) 4.晶閘管就是一個開關(guān),控制電路的導(dǎo)通,與場效應(yīng)管有點相同,但工作原理不……
MOS管能影響電動汽車的充電器能不能恒壓和恒流
為了可持續(xù)發(fā)展，人 類在技術(shù)革新上不斷地探索代替石油的能源，在交通工具上，目前電能則有代替汽 油的趨勢，很多電動汽車已經(jīng)投入使用，但是約束電動汽車的主要因素之一就是充電速度，而充電器作為電流轉(zhuǎn)換設(shè)備，它的性能和質(zhì)量將影響到充電的速度，所以在設(shè)計充電器電路的時候需要采用優(yōu)質(zhì)的MOS管，控制好柵極電壓。電動汽車的充電器不能恒壓和恒流，原因可能跟MOS管有關(guān)MOS管在電動汽車充電器里面充當(dāng)可變電阻的作用……
NCE低壓MOS管的用途
NCE低壓MOS管，即低壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是現(xiàn)代電子電路中不可或缺的重要元件。它以其獨特的性能優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，成為現(xiàn)代電子技術(shù)發(fā)展的重要支撐。本文將對NCE低壓MOS管的用途進行詳細的探討。首先，我們來了解一下NCE低壓MOS管的基本特點。NCE低壓MOS管具有高輸入阻抗、低噪聲、低功耗、快速開關(guān)速度和高可靠性等特點，這使得它在許多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。在電源管理領(lǐng)域……
新潔能MOS管為什么會發(fā)熱，什么原因
電子、電器、家電產(chǎn)品消費制造時，需求用到很多不同類型的電子元件，如新潔能MOS管、電阻、DC-DC電源芯片等，每種電子元件都有它不同的功用作用，當(dāng)然，這些電子元件用久了，也防止不了會有一些問題，今天來聊聊其中一種電子元件，接下來看看新潔能MOS管為什么會發(fā)熱，有哪些什么緣由。 1、減少運用頻率 這也是用戶在調(diào)試過程中常見的現(xiàn)象。頻率降落主要是由兩個方面形成的。輸入電壓與負載電壓之比小，系統(tǒng)干擾……
你對MOS管的電阻很大性能多了解多少呢
MOS管的工作原理:MOS管工作原理用一句話解釋，就是"漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID".更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流……
低壓MOS管有肖特基接觸嘛
在電子工程中，低壓MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和肖特基接觸（Schottky contact）是兩個重要的概念。它們各自在電子設(shè)備的設(shè)計和性能中扮演著關(guān)鍵角色。那么，低壓MOS管是否具有肖特基接觸呢？這個問題涉及到MOS管的工作原理和肖特基接觸的特性，下面我們將詳細探討這個問題。首先，讓我們回顧一下低壓MOS管的基本原理。MOS管是一種通過電壓控制電流的半導(dǎo)體器件，其核心結(jié)構(gòu)包括源極、……
防止MOS管燒毀，先要知道為什么它會燒
MOS損壞主要原因：過流——持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀。過壓——源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿。靜電——靜電擊穿，CMOS電路都怕靜電。防止MOS燒毀MOS問題遠沒這么簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程（電容電壓不能突變），而MOS源級和漏級間由截止到導(dǎo)通的開通過程受柵極電容的充電過程制約。然而，這三個……
強茂肖特基二極管的作用
接下來深圳市聯(lián)冀電子有限公司小編來給你們詳細介紹一下.... 強茂肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管……
新潔能型號NCE3407AY是一款高性能的MOS管
新潔能型號NCE3407AY是一款高性能的MOS管，具有出色的開關(guān)性能、低導(dǎo)通損耗和高牢靠性等特性。下面將細致引見該管的參數(shù)和簡介。參數(shù)：最大工作電壓（Vdss）：該管的最高工作電壓為600V，能夠接受較高的電壓，適用于高電壓的應(yīng)用場所。最大連續(xù)漏極電流（Id）：在最大工作電壓下，該管的連續(xù)漏極電流最大可到達40A，具有較強的電流承載才能。導(dǎo)通損耗（Po）：該管的導(dǎo)通損耗較低，最大僅為1.9W，能……
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