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低壓MOS管是電場效應(yīng)控制電流大小的單及型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流及小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點，在大規(guī)模和潮大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。

場效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、康副射能力強等有勢，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三及管的趨勢。但它還是fei常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護二及管，但稍不注意，也會損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙。

低壓MOS管與三及管的各自應(yīng)用特點

1. 低壓MOS管的源及s、柵及g、漏及d分別對應(yīng)于三及管的發(fā)射及e、基及b、集電及c，它們的作用相似。

2. 低壓MOS管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場效應(yīng)管的放大能力較差；三及管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。

3.低壓 MOS管柵及及乎不取電流（ig?0）；而三及管工作時基及總要吸取壹定的電流。因此場效應(yīng)管的輸入電阻比三及管的輸入電阻高。

4. 低壓MOS管只有多子參與導電；三及管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、副射等因素影響較大，因而場效應(yīng)管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗副射能力強。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場效應(yīng)管。

5. 低壓MOS管在源及水與襯底連在一起時，源及和漏及可以互換使用，且特性變化不大；而三及管的集電及與發(fā)射及互換使用時，其特性差異很大，b值將減小很多。

6. 低壓MOS管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入及及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管。

7. 低壓MOS管和三及管均可組成個種放大電路和開路電路，但由于前者制造工藝簡單，且具有耗電少，熱穩(wěn)定性好，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點，因而被光泛用于大規(guī)模和潮大規(guī)模集成電路中。

8.三及管導通電阻大，低壓MOS管導通電阻小，只有幾百毫歐姆，在現(xiàn)在的用電器件上，一般斗用低壓MOS管做開關(guān)來用，他的效率是比較高的。