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自2018年開始，功率深愛MOS管的平均售價持續上升，其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率深愛MOS管產品成長幅度最顯著，已位居價格中的首位。

至于其他中低電壓的功率深愛MOS管產品成長幅度較小，但仍緩步上升。

因平均售價成長趨勢的差異化表現，12寸晶圓功率半導體廠的建立及高電壓功率深愛MOS管產品布局，或將成為未來廠商發展重點。

中低電壓功率深愛MOS管價格小幅成長，將由12寸晶圓制程提高利潤。

過去功率深愛MOS管以8寸晶圓制造為主，在制程成熟度與穩定性上達到平衡，并已完成優化。MOSFET是目前最常用的功率半導體器件之一，泛用于多種電子產品與系統之中。

在消費類電子產品需求不斷增加下，8寸晶圓需要制造的產品也增加，包括相關芯片等，讓8寸晶圓產能呈現吃緊狀態，引發8寸晶圓廠產能不足的問題。

因此對功率深愛MOS管的客戶來說，轉進12寸晶圓廠是絕佳選擇。

目前具12寸晶圓廠制造功率深愛MOS管量產能力的廠商是英飛凌，已有1座12寸功率半導體廠房生產，且計劃興建第二座，預計2021年開始量產。

從英飛凌官方資料來看，12寸廠具有6%成本效益，能帶來約2%增幅，因此未來將持續擴大12寸晶圓制造。

另外，AOS為市場上第二家將以12寸晶圓廠制造功率深愛MOS管的廠商，預計于2019下半年量產供貨。

AOS認為，12寸晶圓制造最直接優勢在產能，且在降低制造成本及提升良率方面也較8寸廠優秀。ON Semiconductor也購入12寸晶圓廠，準備生產功率半導體相關元件。

低壓功率深愛MOS管的平均售價趨勢可發現，其價格相對平緩，近期價格雖有上漲但幅度很小。

因此降低生產成本為提升毛利潤必要條件，也令12寸晶圓制造功率深愛MOS管備受重視，未來中低電壓功率深愛MOS管在無法通過抬高價格來創造高利潤的情況下，憑借12寸廠成本優勢仍有機會貢獻利潤率，并解決產能不足問題。

高電壓功率深愛MOS管表現亮眼。

功率半導體在終端的產品使用中越來越廣泛，尤其近年在車用、5G與高端運算等，也吸引主要大廠積極投入開發高電壓功率深愛MOS管產品，拉動平均售價大幅度成長。

為達到高電壓功率深愛MOS管市場與技術需求，在主要供應鏈廠商中，英飛凌、安森美、STM、ROHM、AOS等積極開發研究含有SiC的功率深愛MOS管元件，除歐美日大廠外，陸系廠商比亞迪、臺系廠商強茂也積極開發SiC 功率深愛MOS管產品。

SiC功率半導體具耐高溫、耐高電壓、切換速度快。隨著電動汽車以及其他系統的增長，SiC功率半導體市場正在經歷需求的突然激增。

但需求也導致市場上基于SiC的器件供應緊張，促使一些供應商在棘手的晶圓尺寸過渡期間增加晶圓廠產能。值得一提的是，由于SiC與GaN晶圓的制造成本較高，也是拉抬高電壓功率深愛MOS管價格的主要推手之一。

總體而言，歐美日大廠看好高規格功率深愛MOS管的未來發展。同時，全球電動車市場加速成長，對MOSFET需求急迫，在汽車應用領域的銷量超越了計算和數據存儲領域，占總體市場的20%以上。隨著MOSFET不斷發展，相關廠商盈利也將會有望進一步提升。