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新潔能MOS管的工作原理，控制柵極電上壓VGS的大小改變了電場的強弱，就可以達到控制漏極電流ID的大小的目的，這也是MOS管用電場來控制電流的一個重要特點，所以也稱之為場效應管。MOS的優(yōu)勢:場效應管的源極S、柵極G、漏極D分別對應于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極C，它們的作用相似。MOS的優(yōu)勢:場效應管是電壓控制電流器件。由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是(跨導gm)當柵極電壓改變一伏時能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)(貝塔β)當基極電流改變一豪安時能引起集電極電流變化多少。MOS的優(yōu)勢:場效應管柵極和其它電極是絕緣的，不產(chǎn)生電流;而三極管工作時基極電流IB決定集電極電流IC。因此場效應管的輸入電阻比三極管的輸入電盟高的多。MOS的優(yōu)勢:場效應管只有多數(shù)載流子參與導電;三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導電，因少數(shù)載流子濃度受溫度、輻射

等因素影響較大，所以場效應管比三極管的溫度穩(wěn)定性好。

MOSFET只靠多子導電，不存在少子儲存效應，因而關(guān)斷過程非常迅速，開關(guān)時間在10-100ns之同，工作率可達100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲效應，使開關(guān)總有滯后現(xiàn)象，影響開關(guān)速度的提高(目前采用MOS管的開關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S-150KS，這對于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的)。MOS的優(yōu)勢:無二次擊穿:由于普通的功率晶體三極管具有當溫度上升就會導致集電極電流上升(正的溫度～電流特性)的現(xiàn)象，而集電極電流的上升又會導致溫度進一步的上升，溫度進一步的上升，更進一步的導致集電極電流的上升這一循環(huán)。